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名稱:藍(lán)寶石/氧化鋁(Al2O3)晶體基片
Al2O3單晶(Sapphire,又稱白寶石,藍(lán)寶石)有著很好的熱特性,極好的電氣特性和介電特性,并且防化學(xué)腐蝕,它耐高溫,導(dǎo)熱好,硬度高,透紅外,化學(xué)穩(wěn)定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料,為滿足日益增長的藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管(LED)和藍(lán)光激光器(LD)的需要,科晶公司專業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的藍(lán)寶石晶體和外延拋光基片,將為您提供大量高質(zhì)量低價格的單晶和基片
晶體結(jié)構(gòu): |
六方 a =4.758 ? c= 12.992 ? |
結(jié)晶方向: |
(11-20 ) - a plane:2.379 ? (1-102) - r plane:3.479? (30-30) - m plane:1.375 ? (0006) - c plane:2.165 ? |
單晶純度: |
> 99.99% |
熔點: |
2040 ℃ |
密度: |
3.98 g/cm3 |
硬度: |
9 (mohs) |
熱膨脹: |
7.5 (x10-6/ oC) |
熱容: |
0.10( cal / oC) |
熱導(dǎo): |
46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) ) |
介電常數(shù): |
~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis |
正切損耗: |
< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis |
1、 C-Plane藍(lán)寶石基板
廣泛使用的供GaN生長的藍(lán)寶石基板面.這主要是因為藍(lán)寶石晶體沿C軸生長的工藝成熟、成本相對較低、物化性能穩(wěn)定,在C面進(jìn)行磊晶的技術(shù)成熟穩(wěn)定。
2、R-Plane或M-Plane藍(lán)寶石基板
主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發(fā)光效率.通常在藍(lán)寶石基板上制備的GaN外延膜是沿c軸生長的,c軸是GaN的極性軸,導(dǎo)致GaN基器件有源層量子阱中出現(xiàn)很強(qiáng)的內(nèi)建電場,發(fā)光效率會因此降低,發(fā)展非極性面GaN外延,克服這一物理現(xiàn)象,使發(fā)光效率提高。
3、 圖案化藍(lán)寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡稱PSS)
以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式,在藍(lán)寶石基板上設(shè)計制作出納米級特定規(guī)則的微結(jié)構(gòu)圖案藉以控制LED之輸出光形式,并可同時減少生長在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷,改善磊晶質(zhì)量,并提升LED內(nèi)部量子效率、增加光萃取效率。
4、此外,可按客戶要求加工定制藍(lán)寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺等各種結(jié)構(gòu)件。
晶向: |
C, A, M, R 公差:±0.5度 |
尺寸: |
dia6“x1.1mm dia4”x0.65mm dia3“x0.5mm, dia2”x0.43mm,10x10x0.4mm,15x15x0.4mm, 15x15x0.4mm, 20x20x0.4mm等各種尺寸 |
拋光情況: |
單拋、雙拋 |
表面粗糙度: |
Ra<3A(5*5μm范圍內(nèi)) |
注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |