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TSV技術(shù)是穿透硅通孔技術(shù)的縮寫，一般簡稱硅通孔技術(shù)，是三維集成電路中堆疊芯片實(shí)現(xiàn)互連的一種新的技術(shù)解決方案。由于TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成為目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。

因?yàn)橹瞥涛⒖s和低介電值材料的限制，3D堆疊技術(shù)被視為能否以較小尺寸制造高效能芯片的關(guān)鍵，而硅通孔(TSV)可通過垂直導(dǎo)通整合晶圓堆疊的方式，達(dá)到芯片間的電路互連，有助于以更低的成本，提高系統(tǒng)的整合度與效能，是實(shí)現(xiàn)集成電路3D化的重要途徑。公司擁有完整的TSV工藝，滿足您對(duì)芯片互連的要求。