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進(jìn)口Al2O3+Si薄膜

SOI絕緣體上硅/GOI/SOS

進(jìn)口4-8英寸，Simox、bonding、smart cut、BESOI等SOI晶圓片；

公司可為客戶提供法國(guó)Soitec、日本信越半導(dǎo)體（SHE）、美國(guó)SunEdison、英國(guó)ICMOS、芬蘭Okmetic等不同廠家的 100mm, 125mm, 150mm以及200mmSOI晶圓片。產(chǎn)品系列包括Smart cut、bonding，SIMOX 晶圓等，并可提供用戶需求的各種頂層硅厚度。公司還向用戶提供頂層硅小于50nm的超薄SOI晶圓系列和用于RF系統(tǒng)集成用的高阻SOI晶圓片。

頂層硅的厚度可根據(jù)應(yīng)用的不同而變化。公司可提供SOI晶圓片的頂層硅最薄可達(dá)10納米，最厚可至幾十微米或更多。更厚的頂層硅對(duì)光通訊及MEMS器件尤其重要。

SOI/GOI (Ge on insulator )/SOS ( Silicon-on-Sapphire)

產(chǎn)品名稱：進(jìn)口Al2O3+Si薄膜 （SOS）

Si晶向：


Si摻雜類型：

本征；不摻雜

Si厚度：

0.6 um +/- 0.05 um

Si電阻率：

> 100 ohm.cm

Micro-particle

density (for particles > 2 um)：

< 2/cm^2

Al2O3基片：

R plane with single flat

Al2O3邊�。�

One flat 32.5mm +/-2.5mm, at 45+/- 1 deg CCW fromon

Al2O3尺寸：

dia100 x 0.46 mm

TTV:

< 15 um

Bow:

< 20 um

Warp:

< 20 um

Flatness （TIR)

< 12 um

拋光情況：

單拋(正面外延拋光，背面光學(xué)級(jí)拋光，背面激光有激光標(biāo)記）

備注：

可按照客戶要求在C plane Al2O3上鍍Si